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Transistorverstärker
Technische Grundlagen
Taschenbuch von Hans-Dieter Kirschbaum
Sprache: Deutsch

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Beschreibung
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Über den Autor
Dr.-Ing. Hans-Dieter Kirschbaum, FH Koblenz
Inhaltsverzeichnis
1. Zählrichtungen und Vorzeichen für Transistorströme und -Spannungen.- 2. Transistor-Grundschaltungen.- 3. Transistor-Kennlinien.- 4. Bezeichnungsschema für Transistoren.- 5. Grundlegende Gleich- und Wechselstromeigenschaften.- 5.1. Wechselstrom-Arbeitswiderstand.- 5.2. Wechselstrom-Eingangswiderstand.- 5.3. Gleichstromwiderstände.- 5.4. Gleichstromverstärkung.- 5.5. Wechselstromverstärkung.- 5.6. Steilheit in Emitter-Schaltung.- 5.7. Spannungsrückwirkung.- 5.8. Darstellung der Kenngrößen im Datenbuch.- 5.9. Näherungsformeln für die Praxis.- 6. Arbeitsgerade.- 6.1. Gleichstrom-Arbeitsgerade.- 6.2. Wechselstrom-Arbeitsgerade.- 7. Dynamische Kennlinie.- 8. Verlustleistung und Kristalltemperatur.- 8.1. Allgemeine Grundlagen.- 8.2. Dimensionierung von Kühlblechen.- 8.3. Stationäre Verlustleistung.- 8.4. Verlustleistungshyperbel.- 8.5. Berechnungsbeispiele.- 8.6. Oberflächenmontierte Transistoren.- 9. Restströme.- 10. Einstellung und Stabilisierung des Transistor-Arbeitspunktes.- 10.1. Konstante Versorgungsspannung UBE und UCE.- 10.2. Prinzip der "halben Speisespannung".- 10.3. Gleichstrom-Gegenkopplung und niederohmiger Basis-Spannungsteiler.- 10.4. Basisvorwiderstand.- 10.5. Kollektor-Basis-Widerstand.- 10.6. Basisspannungsteiler mit NTC-Widerstand.- 10.7. Arbeitspunktstabilisierung mit einer Diode.- 11. Arbeitsbereiche, Grenzdaten, Durchbruch.- 11.1. Arbeitsbereiche des Transistors.- 11.2. Grenzdaten, erster und zweiter Durchbruch.- 11.3. Erlaubter Arbeitsbereich.- 11.4. Zur Wahl des Arbeitspunktes.- 12. Feldeffekttransistoren.- 12.1. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 12.2. MOS-Feldeffekttransistoren.- 12.3. Einteilung der FET-Typen.- 12.4. Temperaturverhalten.- 12.5. Arbeitspunkteinstellung.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.
Details
Erscheinungsjahr: 1989
Fachbereich: Allgemeines
Genre: Mathematik, Medizin, Naturwissenschaften
Medium: Taschenbuch
Reihe: Teubner Studienskripte Technik
Inhalt: 244 S.
ISBN-13: 9783519300625
ISBN-10: 3519300621
Sprache: Deutsch
Ausstattung / Beilage: Paperback
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Kirschbaum, Hans-Dieter
Auflage: 4, überarbeitete, erweiterte Aufl. 1989
Hersteller: Vieweg & Teubner
Vieweg+Teubner Verlag
Teubner Studienskripte Technik
Verantwortliche Person für die EU: Springer Vieweg in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Straße 46, D-65189 Wiesbaden, juergen.hartmann@springer.com
Maße: 203 x 127 x 14 mm
Von/Mit: Hans-Dieter Kirschbaum
Erscheinungsdatum: 01.10.1989
Gewicht: 0,271 kg
Artikel-ID: 106334466
Über den Autor
Dr.-Ing. Hans-Dieter Kirschbaum, FH Koblenz
Inhaltsverzeichnis
1. Zählrichtungen und Vorzeichen für Transistorströme und -Spannungen.- 2. Transistor-Grundschaltungen.- 3. Transistor-Kennlinien.- 4. Bezeichnungsschema für Transistoren.- 5. Grundlegende Gleich- und Wechselstromeigenschaften.- 5.1. Wechselstrom-Arbeitswiderstand.- 5.2. Wechselstrom-Eingangswiderstand.- 5.3. Gleichstromwiderstände.- 5.4. Gleichstromverstärkung.- 5.5. Wechselstromverstärkung.- 5.6. Steilheit in Emitter-Schaltung.- 5.7. Spannungsrückwirkung.- 5.8. Darstellung der Kenngrößen im Datenbuch.- 5.9. Näherungsformeln für die Praxis.- 6. Arbeitsgerade.- 6.1. Gleichstrom-Arbeitsgerade.- 6.2. Wechselstrom-Arbeitsgerade.- 7. Dynamische Kennlinie.- 8. Verlustleistung und Kristalltemperatur.- 8.1. Allgemeine Grundlagen.- 8.2. Dimensionierung von Kühlblechen.- 8.3. Stationäre Verlustleistung.- 8.4. Verlustleistungshyperbel.- 8.5. Berechnungsbeispiele.- 8.6. Oberflächenmontierte Transistoren.- 9. Restströme.- 10. Einstellung und Stabilisierung des Transistor-Arbeitspunktes.- 10.1. Konstante Versorgungsspannung UBE und UCE.- 10.2. Prinzip der "halben Speisespannung".- 10.3. Gleichstrom-Gegenkopplung und niederohmiger Basis-Spannungsteiler.- 10.4. Basisvorwiderstand.- 10.5. Kollektor-Basis-Widerstand.- 10.6. Basisspannungsteiler mit NTC-Widerstand.- 10.7. Arbeitspunktstabilisierung mit einer Diode.- 11. Arbeitsbereiche, Grenzdaten, Durchbruch.- 11.1. Arbeitsbereiche des Transistors.- 11.2. Grenzdaten, erster und zweiter Durchbruch.- 11.3. Erlaubter Arbeitsbereich.- 11.4. Zur Wahl des Arbeitspunktes.- 12. Feldeffekttransistoren.- 12.1. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 12.2. MOS-Feldeffekttransistoren.- 12.3. Einteilung der FET-Typen.- 12.4. Temperaturverhalten.- 12.5. Arbeitspunkteinstellung.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.
Details
Erscheinungsjahr: 1989
Fachbereich: Allgemeines
Genre: Mathematik, Medizin, Naturwissenschaften
Medium: Taschenbuch
Reihe: Teubner Studienskripte Technik
Inhalt: 244 S.
ISBN-13: 9783519300625
ISBN-10: 3519300621
Sprache: Deutsch
Ausstattung / Beilage: Paperback
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Kirschbaum, Hans-Dieter
Auflage: 4, überarbeitete, erweiterte Aufl. 1989
Hersteller: Vieweg & Teubner
Vieweg+Teubner Verlag
Teubner Studienskripte Technik
Verantwortliche Person für die EU: Springer Vieweg in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Straße 46, D-65189 Wiesbaden, juergen.hartmann@springer.com
Maße: 203 x 127 x 14 mm
Von/Mit: Hans-Dieter Kirschbaum
Erscheinungsdatum: 01.10.1989
Gewicht: 0,271 kg
Artikel-ID: 106334466
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